SWA810-N/M-N/F-典型的な高周波補助装置

SWA810-N/M-N/F-典型的な高周波補助装置

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別文

SWA810-N-M-N-F-典型的な高周波補助装置

絶縁抵抗5000 MΩ
電圧335V(二乗平均)
挿入損失0.8 dB
定在波比、最大1.3

適用:
高周波ケーブル補助設備と高周波試験ケーブル補助設備は、航空・宇宙、電子対策システム(ECM)、高周波消音システム接続、5G移動通信などの分野で広く応用されている。

製品仕様
インタフェースタイプ n-f/nm(50Ω) 材料 真鍮/ポリテトラフルオロエチレン
しゅうはすうはんい DC-18GHz 電気めっき 金/ニッケル/銅
定在波比、最大値 1.3 ヶーブル復帰力 >35IBS
さいだいそうにゅうそんしつ 0.8デシベル 最小ベンド半径、スタティック 15ミリ
定格電圧 335V(二乗平均) 最小ベンド半径、繰り返し 50ミリ
誘電体耐性

電圧

1000V 推奨カップリングトルク 6~10個のin-Ibs
ぜつえんていこう 5000 MΩ カップリングナットの保持力 >60 Ibs(SMA)
おんどはんい −40〜+85℃ 耐久性 500サイクル以上
RoHS 2002/95/EC RoHS準拠